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消息称三星电子以自家4nm先进工艺打造HBM4内存逻辑芯片

发布日期：2024-07-17     7 次

7 月 16 日消息，《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称，三星电子已决定在下代 HBM 内存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。

注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。结构参见美光下图：

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层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元，还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。

传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

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▲ 三星电子目前最先进的 HBM3E 12H 内存

三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

对于三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例：其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。


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