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6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将HBM内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的HBM4内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即SamsungAdvancedINterconnectTechnology 的简写）-D 技术。
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据多家台媒1月22日报道，市场传出因应成本上涨，三星存储代理商发出涨价通知，即日起三星所有存储产品价格将上涨 80%。对此，三星表示，市场传言并不正确，并未对所有产品全面涨价 80%。该公司强调，外界消息可能源自成本变动与市场预期，但目前尚无如此大幅度的调整计划。台媒 TVBS 新闻网表示，全球半导体市场近期因供应限
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1月17日消息，韩国KAIST学者Kim Jung-Ho昨日在一场论坛研讨会上表示，尽管HBM高带宽内存从初代推出到走至半导体产业舞台中央花了近10年的时间，但HBF高带宽闪存的这一过程将更为迅速。一方面，几大存储原厂在开发HBM时积攒了大量堆栈构建方面的设计和工艺技术；另一方面，AI的爆炸式发展导致HBM在容量上已难以满足AI负载的数
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1月23日，韩国存储芯片大厂SK海力士发布截至2024年12月31日的第四季及2024年财报。受益于2024年存储芯片需求回暖及价格上涨，SK海力士全年业绩创下了历史新高。具体来说，SK海力士2024年第四季的营收金额为19.7670万亿韩元，环比增长12%，同比增长75%；营业利润为8.0828万亿韩元，环比增长15%，同比增长2236%；营业利润率为
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9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和SK 海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。综合IT之
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7 月 11 日消息，日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备，可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。▲蚀刻图案这意味着可在HBM内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层（Interposer），在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。▲2.5D 集成结构对比信越
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7月1日消息，虽然半导体市场需求已经有所恢复，不过半导体硅片产业今年受到客户因持续执行长合约采购，造成库存消化速度较慢，而终端需求包括智能手机、电脑等的回升速度较慢，所以上半年仍有库存的影响。但随着AI需求的增长，包括AI需要使用的HBM（高带宽内存）以及先进封装结构改变，都需要增加使用半导体硅片，随着库存去
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在全球高带宽内存（HBM）一片难求的背景下，高盛两个月内二度调高对HBM市场规模的预测，看好2026年将达300亿美元，较3月预测上调至少三成，并重申未来几年HBM供不应求的观点，该投行还预测未来2到3年，SK海力士将继续在HBM3和HBM3E，维持50%以上的HBM市占率。以Giuni Lee为首的等高盛分析师 出具研究报告指出，AI投资和收入
