高数值孔径 ( High -NA ) EUV 光刻 机 刚刚起步, ASML 又开始 致力于开发 超数孔径 Hyper-NA EUV 光刻机 。 ASML 名 誉首席技术官 Martin van den Brink在安特卫普举行的Imec技术论坛(ITF)上发表演讲时透露了公司的未来规划。 他表示,在未来十年内,ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。
Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性,指出它能够简化复杂的双重图案工艺,降低生产难度。他解释说,这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。
值得注意的是,高数值孔径EUV(high-NA)光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具,目前仅英特尔一家采用,而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用,ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室,该实验室将与Imec共同运营,为芯片制造商提供该工具的早期使用权。
事实上,该实验室的系统已经投入使用,并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新,该系统已经能够产生8nm线阵图案,接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。
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