三星计划用第二代3nm争取英伟达 但良率仅20%远低于台积电

发布日期:2024-05-22     273 次

5月21日消息,据媒体报道,三星计划利用其即将推出的第二代3nm工艺技术来争夺英伟达的芯片代工订单。

但最新报告显示,三星3nm工艺的良率仅为20%,这可能成为其竞争中的一个重大障碍。

与此形成鲜明对比的是,台积电的N3B工艺良率已接近55%,这使得台积电在先进芯片制造领域保持了其行业领导者的地位。

三星的低良率意味着其生产成本将更高,这可能会削弱其在价格和性能方面与台积电竞争的能力。

三星电子晶圆代工部门已经制定了“Nemo”计划,目标是在2024年赢得英伟达的3nm芯片代工订单。

然而,目前三星代工部门尚未成立专门的组织来攻关,且良率问题仍是其面临的主要难题。

业界分析人士指出,三星电子预计将在2024年上半年开始量产第二代3nm GAA工艺,这将是三星缩小与台积电差距的关键。

为了提高良率,三星晶圆代工部门正在全力以赴,并开始不惜一切代价确保技术的成功。

韩国市场分析师认为,由于地震和地缘政治等不稳定因素,2024年可能是三星缩小与台积电差距的最佳时机。


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