美光HBM内存能效优异迅速成为韩厂威胁

6 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道指，在优异能效等因素下，美光正迅速在 HBM 内存领域成为 SK 海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。

由于多重影响，美光传统上在 HBM 领域处于弱势。但美光在 2022 年大胆放弃了 HBM3 的量产，将精力集中在了 HBM3E 内存的研发和改进上。

这一决策收获了丰硕的成果：美光已接获 HBM 最大需方英伟达的订单，并开始向英伟达 H200 AI GPU 出货 HBM3E 内存。

美光迅速成为韩厂威胁的重要原因之一是能效优势：美光宣称其 8Hi 堆叠的 24GB HBM3E 内存功耗比竞品低 30%。

AI 需求爆发的当下，低功耗技术逐渐成为业界关注的焦点。更节能的 HBM3E 内存可降低系统发热和用电量，减少散热需求，最终降低 AI 数据中心的 TCO。

此外，美国渴望扩大半导体自给自足率，在这一大背景下美光获得了美国政府大量资金支持，得以新建大型存储晶圆厂。

美光的美国身份也使其更容易接触英特尔和 AMD 这另外两家 AI 芯片企业，便于拿下更多的 HBM 订单。

而在产能方面，根据 TrendForce 集邦咨询今年 3 月的研报，美光在 2023 底的 HBM 产能仅有每月 3000 片 12 英寸晶圆，占到整体市场的 3.2%。

到 2024 年底，美光有望实现每月 20000 片晶圆的 HBM 产能，市场占比也大幅提升至 11.4%。

在美光未来产品方面，根据IT之家此前报道，其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样，计划 2025 年实现大规模量产。

展望更远的 HBM4 世代，韩媒称美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发，HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。