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ASML：考虑推出通用EUV光刻平台 覆盖不同数值孔径

发布日期：2024-05-23     97 次

5 月 23 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 顾问、前任 CTO 马丁・范登布林克（Martin van den Brink）近日称，这家光刻机制造商考虑推出一个通用 EUV 光刻平台。

范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：

我们提出了一个长期（也许十年）的路线图：我们将拥有一个包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）和 Hyper NA（预计为 0.7NA 以上） EUV 系统的单一平台。

根据瑞利判据公式，更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。

范登布林克表示，未来的 Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程，规避通过 High NA 光刻机双重图案化实现同等精度带来的额外步骤与风险。

多种 EUV 光刻机共用一个基础平台，在降低开发成本的同时，也便于将 Hyper-NA 机台的技术改进向后移植到数值孔径更低的光刻机上。

根据 IT 之家此前报道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻机 —— NXE:3800E 就导入了为 High NA 光刻机开发的快速载物台移动系统。

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▲ 马丁・范登布林克像。图源 imec 官方领英账户动态

此外，ASML 还计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量从目前的每小时 200~300 片增加到每小时 400~500 片，从而提升单台光刻机的生产效率，在另一个侧面降低行业成本。

在演讲中范登布林克还提到：" 当前人工智能的发展趋势表明，消费者对多种应用有着强烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、计算能力和所需的海量数据集。"


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