近日,浙大杭州科创中心官微发文称,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。
文章指出,为提升碳化硅晶体厚度,联合实验室开展了提拉式物理气相传输(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法生长超厚碳化硅单晶的研究(图1a)。
source:先进半导体研究院
采用提拉式物理气相传输法,联合实验室成功生长出直径为6英寸(即150mm)的碳化硅单晶,其厚度突破了100mm。测试加工而得的衬底片的结果显示,该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型(图2a)、结晶质量良好(图2b),电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。
source:先进半导体研究院
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