Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却，PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET

发布日期：2024-05-13

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　　第四代器件，额定功率和功率密度高于D²PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

　　美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK^® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D²PAK封装器件，同时减小占位面积。

屏幕截图 2024-05-13 151723.png

　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。

　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D²PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 °C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

　　SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω，超低栅极电荷下降到42 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。日前发布的MOSFET有效输出电容C_o（er）和C_o（_tr）典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。

　　器件符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

　　SiHR080N60E现可提供样品并已实现量产，如想了解供货周期的相关信息，请与当地销售部联系。

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