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国家重点研发计划第三代半导体射频微系统芯片研究项目启动

发布日期：2024-01-25     441 次

1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。

该项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位以及安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。

消息称，项目面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统芯片研究，充分结合中科大、港科大、安努奇科技三方在射频前端领域的技术优势与产业化经验，针对关键技术难题组建课题攻关小组，提高射频微系统芯片的技术创新能力，实现攻坚克难与关键核心技术的突破，促进我国射频前端整体水平进入国际先进行列。


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