日本研究机构：中国半导体制造实力仅落后台积电3年！

8月26日消息，据日经新闻报道，日本专业的半导体分析机构TechanaLye社长清水洋治表示，随着中国半导体实力进步，已经达到了仅落后台积电三年的水平。美国的出口管制措施仅稍微拖慢中国的技术革新，但却进一步刺激了中国半导体产业的自主生产脚步。

清水洋治以2021年华为旗舰手机处理器Kirin 9000和2024年4月开售的华为最新智能手机华为Pura 70 Pro的处理器“Kirin 9010”为例，两款芯片均由华为旗下海思半导体设计，Kirin 9000是由台积电5nm代工，而Kirin 9010则是由中国国产7nm工艺代工。

作为每年拆解约100项电子产品的半导体调查公司，TechanaLye在报告中指出，一般来说，晶体管线宽变细的话，处理器的性能就会变高、芯片面积也可以变小。清水洋治表示，采用国产7nm工艺量产的Kirin 9010芯片面积为118.4平方毫米，与台积电5nm芯片的Kirin 9000面积（107.8平方毫米）差距不大，不过处理性能却几乎相同。

清水洋治表示，双方在良率上虽有落差，但从出货的芯片性能来看，中国半导体逻辑制程的制造实力已经逼近到仅落后台积电三年的地步。

报告称，除了DRAM芯片和传感器外，华为Pura 70 Pro合计搭载了37个主要半导体器件，其中海思半导体设计了其中的14个、其他中国厂商负责18个，非中国制产品仅DRAM（SK Hynix）、运动感测器（Bosch）等5个，也就是说，高达86%半导体为中国制造。

关于中国能自主生产如此广泛的半导体产品，清水洋治认为，“这代表美国管制对象实质上仅限于使用在AI等用途的服务器用先进半导体。只要不构成军事威胁，（美国）应该就会容许。”

清水洋治总结指出，“美国政府的管制措施、当前仅是稍微拖慢中国的技术革新，但却刺激了中国半导体产业的自家生产脚步。”