美芯片禁令失算！日媒：中国大陆只落后台积电这么少

美国对大陆下达芯片禁令，反而推动中国大陆芯片业惊人大跃进，根据「日经新闻」报导，大陆芯片业实力持续进步，目前只差台积电3年水平。而美国出口管制的目标，是想让大陆在芯片竞赛中落后长达10年的时间。

报导引述半导体调查公司TechanaLye社长清水洋治说法指出，大陆半导体实力仅落后台积电3年，他以华为2024年4月开卖的最新智能手机「Huawei Pura 70 Pro」应用处理器(AP)「KIRIN 9010」，以及华为「KIRIN 9000」为例，「KIRIN 9010」是由华为旗下海思半导体设计、加上中芯采用7纳米技术，「KIRIN 9000」则是海思半导体设计、采用台积电2021年时的5纳米制程量产。

清水洋治续指，中芯采用7纳米量产的芯片，该款芯片面积118.4平方毫米，与台积电5纳米芯片面积107.8平方毫米差距不大，不过处理性能几乎相同，虽然两者在良率上有落差，但从出货的芯片性能来看，中芯的实力只落后台积电3年，尤其中芯采用7纳米技术，却能和台积电5纳米性能同等，代表海思半导体的设计能力已进一步提升。

另以华为Pura 70 Pro为例，其搭载37个主要半导体产品，海思半导体就负责14个，其他陆厂负责18个，非陆制产品仅有5个，包括DRAM和运动传感器是由SK Hynix、Bosch生产，代表该产品高达86%半导体为大陆自制。

清水洋治最后总结，美国政府的管制只是稍微拖慢大陆的技术革新，反而刺激了大陆芯片产业的自主化。