美国对大陆下达芯片禁令,反而推动中国大陆芯片业惊人大跃进,根据「日经新闻」报导,大陆芯片业实力持续进步,目前只差台积电3年水平。而美国出口管制的目标,是想让大陆在芯片竞赛中落后长达10年的时间。
报导引述半导体调查公司TechanaLye社长清水洋治说法指出,大陆半导体实力仅落后台积电3年,他以华为2024年4月开卖的最新智能手机「Huawei Pura 70 Pro」应用处理器(AP)「KIRIN 9010」,以及华为「KIRIN 9000」为例,「KIRIN 9010」是由华为旗下海思半导体设计、加上中芯采用7纳米技术,「KIRIN 9000」则是海思半导体设计、采用台积电2021年时的5纳米制程量产。
清水洋治续指,中芯采用7纳米量产的芯片,该款芯片面积118.4平方毫米,与台积电5纳米芯片面积107.8平方毫米差距不大,不过处理性能几乎相同,虽然两者在良率上有落差,但从出货的芯片性能来看,中芯的实力只落后台积电3年,尤其中芯采用7纳米技术,却能和台积电5纳米性能同等,代表海思半导体的设计能力已进一步提升。
另以华为Pura 70 Pro为例,其搭载37个主要半导体产品,海思半导体就负责14个,其他陆厂负责18个,非陆制产品仅有5个,包括DRAM和运动传感器是由SK Hynix、Bosch生产,代表该产品高达86%半导体为大陆自制。
清水洋治最后总结,美国政府的管制只是稍微拖慢大陆的技术革新,反而刺激了大陆芯片产业的自主化。
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