62 次据日经中文网报道，日前，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料“碳化硅（SiC）”基板的新制造技术。
中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。与使用高温下升华的碳化硅使单晶生长的传统技术相比，更容易增大基板尺寸以及提高品质，这可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率也会大幅降低。利用两种元素混合而成的溶液，很难制作出均匀的晶体，此前一直未实现实用化。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6英寸口径基板，该公司打算最早于2030年把尺寸扩大到8英寸。
目前，该公司已开始与欧美的大型半导体企业等接洽，最早将于2024年夏天开始向客户提供样品，2027～2028年实现商业化。还将在日本国内的工厂实施数十亿日元规模的投资，目标是达到10％以上的份额。
此外，artience（原日本东洋油墨SC控股）也在新型接合材料的实用化方面看到了眉目。
artience新开发出了用于接合芯片和铜等基板的“纳米烧结银接合材料”，具有无需加压也能提高接合性的特点，可使接合工序的生产设备初始投资降低到原来的六分之一。通过节省加压所需要的时间，还能使接合时的生产效率提高到4倍。目前已有半导体厂商进行洽购，计划最早于2026年实现1吨的年产量，到2030年增产至3吨。如果只用于功率半导体的接合，1吨相当于约300万辆EV的用量。
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