科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm

发布日期:2024-05-31     63 次

5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。

科友半导体表示,这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯,厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍,单片成本较原来降低70%,有效提高企业盈利能力。此批次晶体呈现出微凸的形貌,表面光滑无明显缺陷。

据了解,物理气相传输(PVT)法生长碳化硅单晶具有质量可控、工艺成熟的优势,但晶体厚度一直是主要制约,而溶液法在提高晶体厚度方面表现突出,但是目前仍尚未能实现真正的产业化生产。

科友半导体基于自研电阻炉,通过借鉴溶液法的部分理念,破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制,充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势,将两种制备方法的优势成功结合到一起。

资料显示,科友半导体成立于2018年5月,是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业,研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域,形成自主知识产权,已累计授权专利80余项,实现先进技术自主可控。

科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区,实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合,致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。

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