宽带隙 (WBG) 半导体器件,例如碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET),以其最小的静态和动态损耗而闻名。除了这些特性之外,该技术还可以承受高脉冲电流,在固态断路器等应用中特别有优势。本文深入探讨了 SiC FET 的特性,并与传统硅解决方案进行了比较分析。半导体开关功率损耗最小化的持续追求由 WBG 器件引领,而 SiC FET 占
WBG的高频切换带来了与带宽和速度相关的挑战,这些挑战可以通过新的传感技术来解决。此外,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件对短路条件的耐受性和电流传感要求不同。当使用GaN 器件时,具有捕获超快速短路事件所需带宽的电流传感器至关重要,因为 GaN 器件的短路耐受时间比 Si 和 SiC 器件短得多。因此,Si 基电源转换器中
打开一个普通的 LED 灯泡,你经常会发现一个电解电容器占据了交流线路输入的位置。虽然照明级 LED 的使用寿命通常超过 10,000 小时,但其底座中的电解电容器可能使用寿命不会那么长。造成这种不良后果的原因可能有很多种。这些电路板上可见的电解电容器取自飞利浦(顶部)和 Feit Electric 生产的 60 W 等效 LED 灯泡。电解电