高数值孔径 （ High -NA ） EUV 光刻 机 刚刚起步，ASML又开始 致力于开发 超数孔径Hyper-NA EUV光刻机。 ASML 名 誉首席技术官 Martin van den Brink在安特卫普举行的Imec技术论坛（ITF）上发表演讲时透露了公司的未来规划。 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔
5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出4F2VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；
