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  • 中国移动发布安全MCU芯片CM32M435R
    中国移动发布安全MCU芯片CM32M435R
    发布日期：2024-07-03     53 次
    7月1日消息，近日，中国移动旗下的中移芯昇发布了一款大容量低功耗+PUF+物理防侧信道攻击的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40纳米功耗工艺，基于业界领先的高性能32位RISC-V内核，综合性能达到国内领先水平。它有三个主要特点：一是高安全。双核设计，安全子系统由安全内核独立控制，具备更高安全等级。同时支持物理防克隆P
  • HBM旺盛需求带动半导体硅片需求倍增
    HBM旺盛需求带动半导体硅片需求倍增
    发布日期：2024-07-03     59 次
    7月1日消息，虽然半导体市场需求已经有所恢复，不过半导体硅片产业今年受到客户因持续执行长合约采购，造成库存消化速度较慢，而终端需求包括智能手机、电脑等的回升速度较慢，所以上半年仍有库存的影响。但随着AI需求的增长，包括AI需要使用的HBM（高带宽内存）以及先进封装结构改变，都需要增加使用半导体硅片，随着库存去
  • 英伟达在法国美国欧盟面临反垄断起诉,AMD/英特尔加油了
    英伟达在法国美国欧盟面临反垄断起诉,AMD/英特尔加油了
    发布日期：2024-07-03     50 次
    7月2日消息，据国外媒体报道称，由于在显卡、GPU市场一家独大的存在，英伟达已经被法国盯上。报道中提到，法国监管机构将对英伟达提起反垄断诉讼，这将是全球首家对该公司采取反垄断行动的执法机构。早在去年9月底，就有媒体报道称，法国竞争监管机构突击搜查了英伟达在当地的办公室，理由是这家芯片巨头涉嫌从事反竞争行为
  • 韩国正在强攻化合物功率半导体 全球市占不足2%
    韩国正在强攻化合物功率半导体 全球市占不足2%
    发布日期：2024-07-03     54 次
    随着复合功率半导体市场的全球竞争日趋白热化，复合功率半导体市场已成为新的粮食来源，韩国政府和企业也纷纷加入，以主导市场。与国际企业相比，韩国企业是后来者，其目标是通过与政府共同构建生态系统来集中精力进行技术开发。业界预测，韩国拥有现代/起亚汽车、三星电子、LG电子等全球汽车和家电企业，因此在功率半导体市
  • 消息称台积电海外晶圆厂仅贡献10%产能 无需担忧中国台湾产业外迁
    消息称台积电海外晶圆厂仅贡献10%产能 无需担忧中国台湾产业外迁
    发布日期：2024-07-03     57 次
    台积电正在美国亚利桑那州凤凰城取得重大进展，即将在其Fab 21晶圆厂第一阶段开始大规模生产4nm和5nm芯片，并将在2030年前建设更多实施，这将显著提高其生产能力和全球影响力。然而，据报道，台积电在美国、日本和德国建设晶圆厂引发了中国台湾对产业外迁的担忧。随着台积电在德国、日本和美国等海外地区扩张取得成功，中国
  • 谷歌Tensor G5即将进入流片阶段 将由台积电3nm代工
    谷歌Tensor G5即将进入流片阶段 将由台积电3nm代工
    发布日期：2024-07-03     47 次
    7月1日，据外媒报道，谷歌即将在明年发布第十代的Pixel系列智能手机，届时其搭载的Tensor G5处理器将会采用台积电的3nm制程工艺。最新的消息显示，Tensor G5处理器研发顺利，即将进入Tape-ou（流片）阶段。据了解，Tensor G5是谷歌首款完全自研手机处理器，而前四代Tensor处理器都是三星Exynos修改，并三星代工生产。而最新
  • 美国芯片业面临重大人才缺口 准备大量砸钱补救
    美国芯片业面临重大人才缺口 准备大量砸钱补救
    发布日期：2024-07-03     53 次
    7月2日消息，据媒体报道，美国芯片产业正面临严重的人才短缺问题，为此政府迅速启动一项计划，旨在培养国内芯片劳动力，以避免劳动力短缺对半导体生产造成威胁。这一计划被称为劳动力伙伴联盟，将动用新成立的国家半导体技术中心（NSTC）50亿美元联邦资金的一部分。NSTC计划资助多达10个劳动力发展项目，每个项目预算在50万
  • 台达电子与TI成立创新联合实验室，瞄准GaN
    台达电子与TI成立创新联合实验室，瞄准GaN
    发布日期：2024-06-27     75 次
    6月21日，台达电子宣布与全球半导体领导厂商德州仪器（TI）成立创新联合实验室。台达表示，此举不仅深化双方长期合作关系，亦可凭借TI在数字控制及氮化镓（GaN）等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术，强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势，增强台达在电动车领域的核心竞争力。台达交通事业范畴执行副总裁
  • 中央硝子新技术可使SiC基板成本降低10%
    中央硝子新技术可使SiC基板成本降低10%
    发布日期：2024-06-27     106 次
    据日经中文网报道，日前，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料“碳化硅（SiC）”基板的新制造技术。中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。与使用高温下升华的碳化硅使单晶生长的传统技术相比，更容易增大基板尺寸以及提高品质，这可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率
  • 复旦大学半导体研发取得重要突破
    复旦大学半导体研发取得重要突破
    发布日期：2024-06-27     86 次
    近日，在2024年超大规模集成电路国际研讨会上，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院的刘明院士团队在会上展示了铪基铁电器件可靠性方面的最新研究进展。基于HfxZr1-xO2材料的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性，受到了广泛关注。然而，器件的可靠性是影响其大规模应用的关键问题之一。在程序代码

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