• 三部门:有序推进5G网络向5G-A升级演进,全面推进6G网络技术研发创新
    发布日期:2025-01-07     44
    《指引》中称,国家数据基础设施是数据基础制度和先进技术落地的重要载体:在数据流通利用方面,建成支持全国一体化数据市场、保障数据安全自由流动的流通利用设施,形成协同联动、规模流通、高效利用、规范可信的数据流通利用公共服务体系。在算力底座方面,构建多元异构、高效调度、智能随需、绿色安全的高质量算力供给体
  • TDK将推出新三代硅阳极电池,容量可再提升15%
    发布日期:2025-01-07     34
    1月6日消息,据彭博社报道称,苹果iPhone的电池供应商——TDK今年将推出第三代硅阳极电池,以应对端侧人工智能(AI)所带来日益增长的功耗需求。TDK社长斋藤升(Noboru Saito)表示,该公司计划今年夏季末开始量产第三代硅阳极电池。虽然硅电池虽然制造上较为复杂,但相较于传统电池能量密度更高。目前,大多数主要中国大陆
  • 继苹果后 联发科也因造价太高今年放弃2nm
    发布日期:2025-01-07     36
    1月6日消息,联发科天玑9400和8400系列已经陆续登场,目前全大核的策略效果出众,整体效果备受好评。目前联发科已逐步将重心移向开发下一代天玑9500芯片,相关芯片将于今年末至明年初亮相。需要注意的是,最初联发科计划相关芯片采用台积电2nm工艺制造,但考虑到相关工艺价格高昂,且苹果同样将在M5系列芯片中引入相关工艺占
  • 美国参议院半导体出口管制执法调查报告发布
    发布日期:2024-12-20     117
    12月19日,美国参议院常设调查小组委员会针对商务部半导体出口管制执法进行调查。今天发布的调查报告指出,美国试图阻止中国和俄罗斯取得先进芯片的效果有限,中国已建立庞大且公然的走私网络、持续利用美国技术。在这份30多页的报告中,美国参议院常设调查小组委员会(Permanent Subcommittee on Investigations)于摘要中
  • ASIC会不会取代GPU?
    发布日期:2024-12-20     124
    最近这段时间,美国股票市场的动静比较大。有两个科技股概念,突然变得很火,引起了市场的高度关注,涨幅惊人。这两个概念,分别是ASIC和量子计算。今天这篇文章,我们主要说说ASIC。按资本市场的说法,ASIC正在加速崛起,威胁GPU在AI计算中的统治地位。而博通,作为ASIC最重要的概念股,股价一路猛涨,一度从180飙到了250,
  • 韩国拟解除每周52小时工时限制以提升半导体研发力
    发布日期:2024-11-06     182
    11月5日消息,据《韩国经济日报》报道,韩国执政党人民力量党透露,决定本周以国会产业通商资源中小企业委员会委员长李哲奎议员的名义,提出半导体支持法案,计划解除专业人员和高薪管理人员的工作时间限制规定,以满足韩国半导体业界希望的弹性工作时长的要求。尽管韩国开始讨论“半导体支持法案”,但业界担心,真正重要的
  • 碳化硅功率器件上下游产业链:衬底和外延的重要性
    发布日期:2024-10-29     227
    在半导体产业的快速发展中,碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料,正逐步成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅功率器件以其耐高温、耐高压、高频、大功率和低能耗等优良特性,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大的应用潜力。而碳化硅功率器件的上下游产业链中,衬底和外延作为关键环节
  • 德州仪器扩大氮化镓(GaN)半导体自有制造规模,产能提升至原来的四倍
    发布日期:2024-10-29     181
    新闻亮点:● 德州仪器增加了GaN制造投入,将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体,能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆
  • 武汉光电国家研究中心团队攻克芯片光刻胶关键技术 原材料全部国产 配方全自主设计
    发布日期:2024-10-28     182
    10月25日消息,据华中科技大学官微消息,近日,该校武汉光电国家研究中心团队,在国内率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方,助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。据介绍,其研发的T150A光刻胶系列产品,已通过半导体工艺量产验证,实现了原材料全部国产,配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制造新局面。公开资料显示,
  • 开关模式电源问题分析及其纠正措施:晶体管时序和自举电容问题
    发布日期:2024-10-25     164
    本文是系列文章中的第三篇,该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案。本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题,重点关注功率晶体管和自举电容。功率晶体管具有最小和最大占空比,如果违反限值,将会导致SMPS性能下降。此外,如果忽略自举电容,晶体管将无法正常工作。问题当输入

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