半导体与器件

美国科学家研发出新型薄膜半导体,电子迁移速度约为传统半导体 7 倍

发布日期：2024-07-22 29 次

7 月 20 日消息，来自美国麻省理工学院、加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用一种名为三元碲铋矿（ternary tetradymite）的晶体材料研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。据介绍，这种 " 薄膜 " 厚度仅 100 纳米，其中电子的迁移速度约为传统半导体的 7 倍从而创下新纪录。这一成果有助科学家研发出新型高效电子设
氮化镓为何被如此看好，能否替代硅基材料大放异彩？

发布日期：2024-07-19 53 次

氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外，在效率层面，氮
激光精密揭示单原子半导体的秘密主题：成像

发布日期：2024-07-19 37 次

物理学家开发了一种突破性技术，利用高分辨率显微镜和超快激光精确识别半导体中的缺陷。这种新方法在纳米级组件中特别有效，使得观察原子缺陷周围电子运动的细节前所未有地清晰，大大推动了半导体物理领域的发展，并为像石墨烯这样的材料带来了新的可能性。先进的半导体分析将越来越智能和强大的电子设备装入不断缩小的设备
1nm制程集成电路新赛道准备就绪！

发布日期：2024-07-19 38 次

近日，北京科技大学与新紫光集团签署了战略合作协议。双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究，开展科技创新、成果转化、人才培养等全方位合作，共同打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地。据北京科技大学介绍，双方将共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成
复旦大学发现新型高温超导体,成果登《Nature》

发布日期：2024-07-19 36 次

7 月 18 日消息，复旦大学物理学系赵俊团队利用高压光学浮区技术成功生长了三层镍氧化物 La4Ni3O10高质量单晶样品，证实了镍氧化物中具有压力诱导的体超导电性(bulk superconductivity)，其超导体积分数达到 86%。▲La4Ni3O10-δ单晶样品照片研究还发现该类材料呈现出奇异金属和独特的层间耦
科大讯飞星火Spark Pro-128K大模型开放调用,最低 0.21 元 / 万 tokens

发布日期：2024-07-19 38 次

7 月 18 日消息，科大讯飞今日宣布，讯飞星火 API 正式开放长上下文版本 ——Spark Pro-128K大模型，价格最低 0.21 元 / 万 tokens。据介绍，用户与大模型之间的对话交流，通常被认为是短期记忆。一旦对话长度超过了其上下文承载能力，超出的部分就可能会被模型遗忘。区别于传统的文本处理模型，长文本模型具备
英国Pickering公司发布新款开关保护模块，面向半导体参数测试中的低漏电流测试

发布日期：2024-07-18 45 次

英国Pickering公司作为用于电子测试和验证的模块化信号切换和仿真解决方案的领先供应商，近日推出新型低漏电流开关解决方案，面向半导体测试，如WAT晶圆验收测试中的低电流驱动保护测量。新款产品基于开关随动保护层(switched guard)设计原理，提供PXI, PXIe和LXI版本，整体设计确保隔离电阻高达1013Ω。 &nbs
GaN正在加速电机驱动中的应用

发布日期：2024-07-17 49 次

无刷直流电机（BLDC）在机器人、电动工具、家电和无人机中的应用越来越多。这些应用要求设备具备轻便、小巧、低转矩脉动、低噪音和极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高频率运行，同时需要先进的技术来减少由此产生的更高功率损耗。氮化镓（GaN）晶体管和集成电路能够在不显著增加损耗的情况下以更
美国半导体设备管制下对华销售占比反增至4成

发布日期：2024-07-17 37 次

美国政府2年前限制了最新半导体设备的对华出口，但对中国的依赖仍在持续。美国应用材料在2024年2～4月的营收中，中国所占比例达到43%，科林研发1～3月的这一比例也达到42%。一家大型设备商高管说：“如果没有管制，中国业务的比例应该会更高”……美国半导体设备制造商对中国的依赖仍在持续。美国政府2年前限制了最新设备的
消息称三星电子以自家4nm先进工艺打造HBM4内存逻辑芯片

发布日期：2024-07-17 34 次

7 月 16 日消息，《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称，三星电子已决定在下代 HBM 内存 ——HBM4中采用自家4nm工艺打造逻辑芯片。注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。结构参见美光下图：层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容

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广州绿测电子科技有限公司（简称：绿测科技）成立于2015年11月，是一家专注于耕耘测试与测量行业的技术开发公司。绿测科技以“工程师的测试管家”的理念向广大客户提供专业的管家服务。绿测科技的研发部及工厂设立于广州番禺区，随着公司业务的发展，先后在广西南宁、深圳、广州南沙、香港等地设立了机构。绿测科技经过深耕测试与测量领域多年，组建了一支经验丰富的团队，可为广大客户提供品质过硬的产品及测试技术服务等支持。

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