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  • 美国商务部今年已撤销了8张对华为出口许可证
    发布日期:2024-07-04     61
    美国商务部于当地时间7月2日以书面的形式回应了美国共和党籍众议员Michael McCaul的质询。在该文件当中,美国商务部指出,“从2024年初迄今,美国商务部已撤销8张与华为相关的出口许可证。”美国政府于2019年开始限制向华为出口先进技术,随后还持续升级对于华为的制裁,不仅限制了有采用美国技术晶圆厂代工华为芯片,还限制
  • 欧盟周四生效对中国电动车加征38%关税 德国喊话:赶快停止愚蠢行为
    发布日期:2024-07-04     63
    7月3日消息,据国外媒体报道称,德国汽车工业协会(VDA)敦促欧盟委员会放弃对中国制造的电动汽车征收关税的计划,这是在关税于周四生效之前影响谈判的最后努力。该协会强调,关税正在损害从中国出口的欧洲和美国汽车制造商,而中国采取反制措施的风险将严重打击德国工业,因为德国对中国的出口量很大。VDA表示,欧盟委员会应
  • 中国生成式AI专利申请量全球第一 远超美国、韩国、日本
    发布日期:2024-07-04     65
    7月3日消息,据央视新闻报道,世界知识产权组织日前发布《生成式人工智能专利态势报告》。根据报告,2014年至2023年,中国发明人申请的生成式人工智能专利数量最多,远超美国、韩国、日本和印度等国。2014年至2023年间,中国的生成式人工智能发明超过3.8万件,是排名第二的美国的6倍。报告显示,生成式人工智能已遍及生命科
  • AMD与英伟达AI GPU需求推动FOPLP发展
    发布日期:2024-07-04     66
    7月3日消息,据市场研究机构TrendForce最新发布的报告指出,自台积电(TSMC)于2016年开发命名为InFO(整合扇出型封装)的FOWLP(扇出型晶圆级封装)技术,并率先应用于iPhone 7手机所使用的A10处理器后,OSAT(专业封测代工厂)业者竞相发展FOWLP及FOPLP(Fan-out Panel Level Package,扇出型面板级封装)技术,以推出单位
  • 消息称苹果继AMD后成为台积电SoIC半导体封装大客户
    发布日期:2024-07-04     48
    7 月 4 日消息,根据经济日报报道,在AMD之后,苹果公司在SoIC封装方案上已经扩大和台积电的合作,预估在2025 年使用该技术。台积电正在积极提高 CoWoS 封装产能的同时,也在积极推动下一代 SoIC 封装方案落地投产。AMD 是台积电 SoIC 的首发客户,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封
  • 中科协发布2024十大产业技术问题 自主GPU、芯片受限下高速光传输在列
    发布日期:2024-07-04     64
    7月3日消息,日前中国科协在第二十六届年会主论坛上,发布了2024重大科学问题、工程技术难题和产业技术问题。其中十大产业技术问题包括自主可控高性能GPU芯片开发、高端芯片制程受限背景下实现高速大容量光传输技术可持续发展的路径等。以下是具体名单:十大前沿科学问题:1、情智兼备数字人与机器人的研究2、以电-氢-碳耦合
  • SDV让汽车架构“和而不同”
    发布日期:2024-07-03     110
    昔日以“排气管数量”和“发动机动力”为骄傲的荣耀已然成为过往。在这个崭新的时代,特斯拉、理想、蔚来、小鹏、零跑等新兴的汽车制造商纷纷推出了搭载可交互大屏、实现万物互联、软件功能持续更新的新车型,它们被誉为“车轮上的智能手机”。同时,不少互联网巨头如华为、小米、百度也涉足其中,有的推出了自己的造车方案
  • NPU成为边缘智能新思路
    发布日期:2024-07-03     78
    在人工智能(AI)技术日新月异的今天,从云端到边缘的计算需求不断攀升,为各行各业带来了前所未有的变革机遇。作为这一领域的领军者,Arm 公司凭借其卓越的节能技术和从云到边缘的广泛布局,正逐步构建着未来AI生态的基础。其中,Arm Ethos U85NPU(神经网络处理器)的推出,更是为边缘智能的发展注入了强劲动力,开
  • 适用于5G毫米波天线封装应用的双频双极化平面天线
    发布日期:2024-07-03     92
    本文介绍了一种双频双极化天线,工作频率范围为 24 至 40 GHz,工作频率范围为 5G 新无线电 (NR) 毫米波 (mm-Wave) 频率范围 2 (FR2)。该文提出一种新颖的环形贴片堆叠排列方式,以实现宽双频段工作和稳定的增益。在较低 (24.25–29.5 GHz) 和较高 (37–40 GHz) FR2 频段工作的两对堆叠环形贴片交替集成在四个金属
  • 用先进的SPICE模型模拟MOSFET电流-电压特性
    发布日期:2024-07-03     91
    在前一篇文章中,我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型,并将其纳入LTspice仿真中。然后,我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中,我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流(ID)与漏极-源极电压(VDS)的基本图开始。为此,我们将

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