• 如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器?
    发布日期:2024-11-07     73
    在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中,氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术,有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。当前市场上充斥着大量不同的Si MOSFET驱动器,而新的GaN驱动器和内置GaN驱动器的控制器还需
  • 为恶劣工业环境中的以太网安装保驾护航
    发布日期:2024-11-07     83
    如今,“工业以太网”一词使用非常频繁,以至于人们很容易混淆,并开始认为它一定与消费和计算设备中使用的以太网有所不同。本博文旨在回顾这种网络技术的演变,并解释消费以太网和工业以太网的区别。本文还介绍Nexperia的一系列器件,这些器件可用于保护以太网网络免受静电放电(ESD)的破坏性影响,无论它们是部署在日常消费
  • 我的热插拔控制器电路为何会振荡?
    发布日期:2024-11-07     76
    使用高端N沟道MOSFET (NFET)的热插拔控制器,浪涌抑制器、电子保险丝和理想二极管控制器,在启动和电压/电流调节期间可能会发生振荡。数据手册通常会简要提到这个问题,并建议添加一个小栅极电阻来解决。然而,如果不清楚振荡的根本原因,设计人员就可能难以在布局中妥善放置栅极电阻,使电路容易受到振荡的影响。本文将讨论
  • 全差分放大器为精密数据采集信号链提供高压低噪声信号
    发布日期:2024-11-07     73
    摘要全差分放大器(FDA)具有差分输入和差分输出,其输出共模由直流(DC)输入电压独立控制,主要用在数据采集系统中模数转换的前端,用于将信号调理为合适的电平以供下一级(通常是模数转换器(ADC))使用。FDA一般采用单芯片设计,电源电压较小,因此输出动态范围有限。本文将介绍具有可调共模输出的高压低噪声FDA的设计方法。
  • 电能质量分析程序:4 个必须知道的技巧
    发布日期:2024-10-29     131
    稳定、高质量的电力供应不仅关乎可用性,还关乎电能质量。然而,找出电能质量问题的根本原因(从谐波失真和电压波动到雷击和设备故障的影响)可能是一项复杂的挑战。这些干扰通常肉眼看不见,但可能导致设备故障、运营停机甚至安全隐患。进行彻底的电能质量调查是分析和缓解这些问题的第一步,从而提高电气系统的整体性能。本
  • YoloV3在FPGA上的量化、编译与推理
    发布日期:2024-10-29     134
    随着人工智能技术的快速发展,目标检测作为计算机视觉领域的重要应用,其准确性和实时性要求日益提高。YoloV3(You Only Look Once Version 3)作为一种先进的实时物体检测算法,凭借其高精度和实时性能,在众多应用场景中展现出巨大潜力。然而,为了将YoloV3算法部署到资源受限的硬件平台上,如FPGA(现场可编程门阵列),
  • 推挽升压电路和SPWM逆变电路系统总体方案
    发布日期:2024-10-29     133
    本设计以ARM作为控制核心,结合推挽升压电路和SPWM逆变电路,实现了将12VDC输入电压转换为110VAC交流正弦电压输出。实验表明,该逆变器具有电压纹波小、动态响应高和全数字等特点,能够满足实际需要。1.系统总体方案1.1 总体设计框图如图1 所示, 逆变器系统由升压电路、逆变电路、控制电路和反馈电路组成。低压直流电源DC1
  • 电源模块纹波噪声的测试方法
    发布日期:2024-10-29     194
    在应用电源模块常见的问题中,降低负载端的纹波噪声是大多数用户都关心的。那么模块的纹波噪声该如何降低?普科科技从纹波噪声的波形、测试方式、模块设计及应用的角度出发,阐述几种有效降低输出纹波噪声的方法。纹波噪声的常见测量工具是采用示波器+探头的方式纹波和噪声即:直流电源输出上叠加的与电源开关频率同频的波动
  • PLC与变频器搭配使用的方法和要点
    发布日期:2024-10-29     89
    PLC与变频器的搭配使用在工业控制中非常常见,主要用于实现对电机的精确控制和调节。以下是一些PLC与变频器搭配使用的方法和要点:1.PLC控制变频器的方式1.1输出信号控制直接连接:通过PLC的输出点直接连接到变频器的启动停止信号,同时PLC也可输出模拟量信号来调节变频器的速度。信号传输:确保PLC的com口与变频器的com口连
  • 如何量化 SiC FET 的脉冲电流能力
    发布日期:2024-10-29     86
    宽带隙 (WBG) 半导体器件,例如碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET),以其最小的静态和动态损耗而闻名。除了这些特性之外,该技术还可以承受高脉冲电流,在固态断路器等应用中特别有优势。本文深入探讨了 SiC FET 的特性,并与传统硅解决方案进行了比较分析。半导体开关功率损耗最小化的持续追求由 WBG 器件引领,而 SiC FET 占

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